Flash paměť je forma technologie semi-pass a elektrické přeprogramovatelné paměti. Stejný koncept lze použít v elektronických obvodech k označení technologicky úplných řešení. V každodenním životě je tento koncept pevný pro širokou třídu polovodičových zařízení pro ukládání informací.
Nezbytné
USB flash disk, počítač s připojením k internetu
Instrukce
Krok 1
Princip fungování této technologie je založen na změnách a registraci v izolovaných oblastech elektrického náboje v polovodičové struktuře. Ke změně takového náboje, tj. Jeho záznamu a vymazání, dochází pomocí aplikace umístěné mezi zdrojem a bránou jeho většího potenciálu. Mezi tranzistorem a kapsou v tenkém dielektrickém poli je tedy vytvořena dostatečná síla elektrického pole. Tak vzniká tunelový efekt.
Krok 2
Zdroje paměti jsou založeny na změně nabití. Někdy je spojován s kumulativním účinkem nevratných jevů v jeho struktuře. Proto je počet položek pro flash buňku omezen. Toto číslo pro MLC je obvykle 10 tisíc jednotek a pro SLC - až 100 tisíc jednotek.
Krok 3
Doba uchování dat je určena tím, jak dlouho jsou poplatky uloženy, což obvykle uvádí většina výrobců produktů pro domácnost. Nepřekračuje deset až dvacet let. Ačkoli výrobci poskytují záruku pouze na prvních pět let. Je však třeba poznamenat, že zařízení MLC mají kratší doby uchování dat než zařízení SLC.
Krok 4
Hierarchickou strukturu flash paměti vysvětluje následující skutečnost. Procesy, jako je psaní a mazání, stejně jako čtení informací z flash disku, se vyskytují ve velkých blocích různých velikostí. Například mazací blok je větší než blok pro zápis, který je zase menší než blok pro čtení. Toto je charakteristická vlastnost flash paměti od klasické. Výsledkem je, že všechny jeho mikroobvody mají výraznou hierarchickou strukturu. Paměť je tedy rozdělena na bloky a ty na sektory a stránky.
Krok 5
Rychlost mazání, čtení a zápisu je jiná. Například rychlost mazání se může pohybovat od jedné do stovek milisekund. Záleží na velikosti vymazávaných informací. Rychlost záznamu je desítky nebo stovky mikrosekund. Rychlost čtení je obvykle desítky nanosekund.
Krok 6
Funkce využití flash paměti jsou diktovány jejími vlastnostmi. Je povoleno vyrábět a prodávat mikroobvody s libovolným počtem vadných paměťových buněk. Aby bylo toto procento nižší, je každá stránka dodávána s malými dalšími bloky.
Krok 7
Slabou stránkou flash paměti je, že počet přepisovacích cyklů na jedné stránce je omezený. Situace se stává ještě horší díky skutečnosti, že souborové systémy často zapisují do stejného paměťového umístění.
